臺(tái)積電首次披露2nm關(guān)鍵指標(biāo)：納米片帶來史上最大飛躍

臺(tái)積電今天線上舉辦2021年度技術(shù)研討會(huì)，公布了未來新工藝進(jìn)展，6nm、5nm、4nm、3nm、2nm都有新消息傳來。

2nm目前是各大半導(dǎo)體巨頭角逐的制高點(diǎn)，IBM甚至已經(jīng)在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)搞定，率先公布了2nm芯片，而除了臺(tái)積電、三星兩大代工巨頭，歐洲、日本也在野心勃勃地規(guī)劃。

不同于之前世代在相同的基礎(chǔ)架構(gòu)上不斷演進(jìn)，臺(tái)積電的2nm工藝將是真正全新設(shè)計(jì)的，號(hào)稱史上最大的飛躍，最大特點(diǎn)就是會(huì)首次引入納米片(nanosheet)晶體管，取代現(xiàn)在的FinFET結(jié)構(gòu)。

臺(tái)積電表示，納米片晶體管可以更好地控制閾值電壓(Vt)——在半導(dǎo)體領(lǐng)域，Vt是電路運(yùn)行所需的最低電壓，它的任何輕微波動(dòng)，都會(huì)顯著影響芯片的設(shè)計(jì)、性能，自然是越小越好。

臺(tái)積電宣稱，根據(jù)試驗(yàn)，納米片晶體管可將Vt波動(dòng)降低至少15%。

目前，臺(tái)積電的2nm工藝剛剛進(jìn)入正式研發(fā)階段，此前消息是2023年試產(chǎn)、2024年量產(chǎn)。