中芯國(guó)際披露第二代14nm：性能提升20％、功耗降低60％

2019年，中芯國(guó)際量產(chǎn)了國(guó)內(nèi)最先進(jìn)的14nm工藝制程，并已為華為麒麟710A處理器等進(jìn)行代工。目前，中芯國(guó)際正在回歸A股上市，計(jì)劃募資200億元，主要就是投入14nm等先進(jìn)工藝的開(kāi)發(fā)。

6月7日晚間，中芯國(guó)際在上交所公布了對(duì)第一輪審核問(wèn)詢函的回復(fù)，僅用4天，創(chuàng)造了一個(gè)新紀(jì)錄，而在六大類、29個(gè)問(wèn)題中，最引人關(guān)注的當(dāng)屬對(duì)于新工藝細(xì)節(jié)的披露。

中芯國(guó)際表示，14nm晶圓代工產(chǎn)能正處于初期布局階段，因此全球份額相對(duì)較低，不過(guò)第一代14nm FinFET技術(shù)已進(jìn)入量產(chǎn)階段，而且技術(shù)上處于國(guó)際領(lǐng)先水平，且具有一定的性價(jià)比，目前已同眾多客戶開(kāi)展合作，預(yù)測(cè)產(chǎn)能利用率可以穩(wěn)定保持在較高水平。

中芯國(guó)際透露，利用其先進(jìn)FinFET技術(shù)在晶圓上所制成的芯片，已應(yīng)用于智能手機(jī)領(lǐng)域。雖未進(jìn)一步明確，但顯然指的就是華為麒麟710A。

在下一代技術(shù)節(jié)點(diǎn)的開(kāi)發(fā)上，全球純晶圓代工廠僅剩臺(tái)積電、中芯國(guó)際兩家，第二代FinFET技術(shù)目前已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，與第一代對(duì)比有望在性能上提高約20% ，功耗降低約60%。

中芯國(guó)際表示，14nm及以下先進(jìn)工藝主要應(yīng)用于5G 、人工智能、智能駕駛、高速運(yùn)算等新興領(lǐng)域，未來(lái)發(fā)展前景廣闊，而隨著相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)發(fā)展，先進(jìn)工藝的市場(chǎng)需求將持續(xù)上升，市場(chǎng)份額將不斷擴(kuò)大，成為集成電路晶圓代工市場(chǎng)新的增長(zhǎng)點(diǎn)。

根據(jù)招股書(shū)披露，中芯國(guó)際本次計(jì)劃發(fā)行不超過(guò)16.86億股新股，預(yù)計(jì)募資200億元人民幣，計(jì)劃分別投入中芯南方正在進(jìn)行的12英寸芯片SN1項(xiàng)目(80億元)、先進(jìn)及成熟工藝研發(fā)項(xiàng)目?jī)?chǔ)備資金(40億元)、補(bǔ)充流動(dòng)資金(80億元)。

其中，12英寸芯片SN1項(xiàng)目是中國(guó)大陸第一條14nm及以下先進(jìn)工藝生產(chǎn)線，規(guī)劃月產(chǎn)能為3.5萬(wàn)片晶圓，目前已建成月產(chǎn)能6000片。

本次問(wèn)詢中，中芯國(guó)際又對(duì)募集資金投資項(xiàng)目的風(fēng)險(xiǎn)進(jìn)行了補(bǔ)充披露：12英寸芯片SN1項(xiàng)目的總投資額為90.59億元美元，其中生產(chǎn)設(shè)備購(gòu)置及安裝費(fèi)達(dá)733016萬(wàn)美元。

SN1項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后將會(huì)貢獻(xiàn)額外的先進(jìn)制程收入，但同時(shí)帶來(lái)較高的折舊成本壓力。 隨著14納米及下一代制程的產(chǎn)線投產(chǎn)、擴(kuò)產(chǎn)， 公司一定時(shí)期內(nèi)會(huì)面臨較大的折舊壓力，該部分業(yè)務(wù)毛利率可能會(huì)低于公司平均水平，存在經(jīng)濟(jì)效益不達(dá)預(yù)期，甚至產(chǎn)生較大額度虧損的風(fēng)險(xiǎn)。

此外，中芯國(guó)際還對(duì)研發(fā)費(fèi)用率遠(yuǎn)高于同行的原因及合理性進(jìn)行了說(shuō)明。數(shù)據(jù)顯示，2019年臺(tái)積電、中芯國(guó)際、聯(lián)華電子、華虹半導(dǎo)體的研發(fā)費(fèi)用分別為211億元、47億元、27億元、4億元，相應(yīng)占營(yíng)收比重分別為9%、22%、8%、7%。

中芯國(guó)際表示，為加強(qiáng)在先進(jìn)制程方面的技術(shù)實(shí)力，公司不斷加大先進(jìn)制程的研發(fā)投入，相繼實(shí)現(xiàn)了28nm HKC+工藝、第一代 14nm FinFET工藝的研發(fā)和量產(chǎn)，第二代14nm FinFET工藝的研發(fā)也在穩(wěn)健進(jìn)行中，并不斷拓展成熟工藝應(yīng)用平臺(tái)，因此公司研發(fā)費(fèi)用率高于可比上市公司。